[发明专利]一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法有效
| 申请号: | 201010145102.4 | 申请日: | 2010-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN102213614A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
| 发明(设计)人: | 冀永辉;王风虎;刘明;王琴;龙世兵;闫锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,包括:为成像器件阵列中的每一个像素配置一个参考单元和若干个成像单元;建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA;在实际成像操作时,先对所有的成像单元和参考单元进行擦除,对某一像素中的成像单元进行有光成像操作,对参考单元做无光成像操作,然后对参考单元的f(Vt)和g(h)进行测量,在矩阵MA中执行查表程序,得到实际光强的值。利用本发明提出的差分技术来消除初始阈值电压不同给成像阵列带来的影响,提高了成像质量,同时消除了成像过程中隧穿效应非线性引入的影响。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 消除 成像 器件 工艺 失配 非线性 影响 方法 | ||
【主权项】:
一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,包括:为成像器件阵列中的每一个像素配置一个参考单元和若干个成像单元;建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA;其中,在成像单元和参考单元被擦除后的阈值分布曲线上,将阈值分布区间平均分为N份,取每一份中点对应的阈值电压得到N个阈值电压,f(Vt)反映这N个初始阈值电压;在成像器件正常工作的光强分布范围内,平均选取M个光强值,g(h)反映这M个不同的光强值与参考单元的差分特性;矩阵MA反映不同初始阈值电压和不同差分参量下各个实际光强的值;在实际成像操作时,先对所有的成像单元和参考单元进行擦除,对某一像素中的成像单元进行有光成像操作,对参考单元做无光成像操作,然后对参考单元的f(Vt)和g(h)进行测量,在矩阵MA中执行查表程序,得到实际光强的值。
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