[发明专利]一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法有效
| 申请号: | 201010145102.4 | 申请日: | 2010-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN102213614A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
| 发明(设计)人: | 冀永辉;王风虎;刘明;王琴;龙世兵;闫锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 消除 成像 器件 工艺 失配 非线性 影响 方法 | ||
1.一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,包括:
为成像器件阵列中的每一个像素配置一个参考单元和若干个成像单元;
建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA;其中,在成像单元和参考单元被擦除后的阈值分布曲线上,将阈值分布区间平均分为N份,取每一份中点对应的阈值电压得到N个阈值电压,f(Vt)反映这N个初始阈值电压;在成像器件正常工作的光强分布范围内,平均选取M个光强值,g(h)反映这M个不同的光强值与参考单元的差分特性;矩阵MA反映不同初始阈值电压和不同差分参量下各个实际光强的值;
在实际成像操作时,先对所有的成像单元和参考单元进行擦除,对某一像素中的成像单元进行有光成像操作,对参考单元做无光成像操作,然后对参考单元的f(Vt)和g(h)进行测量,在矩阵MA中执行查表程序,得到实际光强的值。
2.根据权利要求1所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述为成像器件阵列中的每一个像素配置一个参考单元和若干个成像单元的步骤中,是在成像单元的邻近位置配置参考单元,以减小工艺、温度、工作电压和外部干扰因素引起的失配,使成像单元和参考单元在擦除之后有一致的初始阈值电压。
3.根据权利要求2所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述参考单元只进行复位操作、读取操作和无光成像操作;所述成像单元与参考单元同时进行复位和读取操作外,还进行有光成像操作。
4.根据权利要求1所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA包括:
在成像单元和参考单元被擦除后的阈值分布曲线上,将阈值分布区间平均分为N份,取每一份中点对应的阈值电压,得到N个阈值电压;在对成像单元进行无光成像的情况下,选取一个对应函数f(Vt)来反映这N个初始阈值电压,测试这N个不同阈值电压下的f(Vt)值;在成像器件正常工作的光强分布范围内,平均选取M个光强值,选取一个参量g(h)来反映这M个不同的光强值与参考单元的差分特性;对这N个初始阈值电压下的器件单元进行读取测试,得到无光成像条件下的对应函数f(Vt)的值,然后对各个成像器件做有光成像和读取操作,得到反映光强分布的差分函数g(h);建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA,坐标中的光学信息与f(Vt)和g(h)一一对应。
5.根据权利要求1所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述对某一像素中的成像单元进行有光成像操作,是使其阈值电压漂移到某一个新的值。
6.根据权利要求1所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述对参考单元的f(Vt)和g(h)进行测量时,由于成像单元和参考单元之间的各种失配小,可认为参考单元和成像单元的参量f(Vt)是一致的,所以测量的差分参量g(h)是在某确定的初始阈值电压下的完全反映光强的参量。
7.根据权利要求1所述的消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法,其特征在于,所述参考单元不参与有光成像,在参考单元所占位置的实测光强值丢失,可利用周围成像单元读出的光强值做插值运算,将插值的数值作为参考单元所处位置的光强值。
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