[发明专利]表面分布有金属纳米线的硅太阳电池无效
| 申请号： | 201010142442.1 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101814541A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王艳芳;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池技术领域的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的背电极、P型硅衬底、N型层、金属纳米线、减反射层和前电极，本发明将金属纳米线组装到硅太阳电池基片表面，利用纳米线结构的表面效应减小太阳电池的串联电阻，进一步提高太阳电池的光电转换效率，比传统的太阳电池的光电转换效率提高1-5％。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 分布 金属 纳米 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的背电极、P型硅衬底、N型层、减反射层和前电极，其特征在于：N型层上设有金属纳米线；所述的金属纳米线的直径在1-500纳米之间，金属纳米线的长度大于100纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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