[发明专利]表面分布有金属纳米线的硅太阳电池

权利要求书

1.一种表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的背电极、P型 硅衬底、N型层、减反射层和前电极，其特征在于：N型层上设有金属纳米线；

所述的金属纳米线的直径在1-500纳米之间，金属纳米线的长度大于100纳米；

所述的金属纳米线在N型层和减反射层之间的分布密度为(10-10万根)/平方毫米。

2.根据权利要求1所述的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，其特征是，所述的金属纳 米线为：Ni、Co、Ag、Cr、Fe、Cu、Al、Sn、Zn、Ti和Pb中的一种或其组合制成。

3.根据权利要求1所述的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，其特征是，所述的背电极 为铝制电极。

4.根据权利要求1所述的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，其特征是，所述的减反射 层为氮化硅或者氧化硅。

5.根据权利要求1所述的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，其特征是，所述的前电极 为银栅电极。

6.根据权利要求1所述的表面分布有金属纳米线的硅太阳电池，其特征是，所述的硅太阳 电池是单晶硅太阳电池或多晶硅太阳电池。