[发明专利]半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法有效
| 申请号： | 201010142167.3 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101859692A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 川岛教孔;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/68;C09J7/02;C09J133/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法。本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括将包含依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中，将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至该半导体晶片，并且与该压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护 用压敏 粘合 及其 粘贴 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，所述方法包括将包含依次叠置的基材、至少一个中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴于半导体晶片的表面，其中，将所述压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴于所述半导体晶片，并且与所述压敏粘合剂层接触的中间层在所述粘贴温度下的损耗角正切(tanδ)为0.5以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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