[发明专利]半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法

说明书

技术领域

本发明涉及将半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至具有表面凹凸的半导体晶片的方法，并且还涉及用于该粘贴方法的半导体晶片保护用压敏粘合片。

背景技术

当将具有归因于结构如凸块的表面凹凸的半导体晶片进行背面研磨时，必要的是保护晶片正面以防止存在于晶片正面上的凹凸被损坏和防止晶片正面被晶片研磨粉尘、研磨水等污染。还存在以下问题：即使在微小的外力下，研磨的晶片也易于断裂，这是因为研磨的晶片本身薄且脆和因为晶片正面具有表面凹凸。

为了在晶片背面研磨期间保护晶片正面和防止晶片断裂的目的，将压敏粘合带粘贴至半导体晶片正面的技术已为人所知。例如，专利文献1提出利用在-5至80℃范围内的温度下具有损耗角正切(tanδ)的最大值为0.5以上的基材的压敏粘合片。然而，作为近来半导体封装时厚度降低的结果，存在日益增加的朝向将半导体晶片研磨至不大于在晶片正面形成的凹凸的高度差(leVel difference)的厚度的趋势。因此，此类压敏粘合片需要的性能包括在粘贴至晶片正面时与凹凸的追随性(conformability)，对于在晶片背面研磨后是必要的适合输送性、保持性等。

专利文献1：JP-A-11-343469

发明内容

本发明的目的是提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，当将具有在晶片正面形成凹凸的晶片的背面被研磨至不大于所述凹凸高度差的厚度时，所述半导体晶片保护用压敏粘合片能够保护晶片正面的凹凸，防止研磨粉尘、研磨水和其它物质渗入晶片正面和防止研磨晶片断裂。本发明的另一目的是提供用于该粘贴方法的半导体晶片保护用压敏粘合片。

即，本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括：将包括依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至半导体晶片，与压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。

半导体晶片保护用压敏粘合片(下文称为压敏粘合片)粘贴至半导体晶片的粘贴温度为50℃至100℃。与压敏粘合剂层接触的中间层的损耗角正切(tanδ)在该粘贴温度下为0.5以上，优选0.5至2.5。当与压敏粘合剂层接触的中间层的损耗角正切(tanδ)在该范围内时，中间层在将压敏粘合片粘贴至半导体晶片的温度下是软的。因此，该压敏粘合片当粘贴至晶片正面时令人满意地追随存在于晶片正面的凹凸。因此，压敏粘合片和半导体晶片之间的粘合得到增强，从而能够防止存在于晶片正面的凹凸在晶片背面研磨时被损坏，并且防止研磨粉尘和研磨水在晶片背面研磨期间渗入晶片正面。

根据本发明，与压敏粘合剂层接触的中间层(位于与压敏粘合剂层接触的侧面上的中间层)优选在所述粘贴温度下具有损耗模量为0.005MPa至0.5MPa。

与压敏粘合剂层接触的中间层在所述粘贴温度下的损耗模量优选0.005MPa至0.5MPa，更优选0.01MPa至0.4MPa，进一步更优选0.015MPa至0.3MPa。当本发明中的与压敏粘合剂层接触的中间层的损耗模量在所述粘贴温度下在所述范围内时，在压敏粘合片粘贴至晶片正面时中间层容易拉伸和追随晶片正面的凹凸。因此，能够抑制已经粘贴至晶片正面的压敏粘合片从晶片正面隆起(lift up)。因此，能够防止在晶片背面研磨期间发生晶片断裂和研磨粉尘或研磨水渗入晶片正面。

根据本发明，还优选与压敏粘合剂层接触的中间层具有在23℃下的储能模量为0.5MPa以上。

与压敏粘合剂层接触的中间层在23℃下的储能模量优选0.5MPa以上，更优选0.7MPa至5MPa，进一步更优选0.8MPa至3MPa。当本发明中的与压敏粘合剂层接触的中间层的储能模量在23℃下在上述范围内时，能够防止与压敏粘合剂层接触的中间层在将压敏粘合片粘贴至晶片正面后进行研磨晶片背面期间由于粘贴至压敏粘合片的压力而突起。因此，压敏粘合片适当地保持晶片，因而能够抑制晶片在晶片背面研磨期间断裂。

根据本发明，进一步优选的是，当压敏粘合片包括多层中间层时，与压敏粘合剂层接触的中间层的厚度占中间层总厚度的至少50％。