[发明专利]一种像素的结构及其制程方法

摘要

本发明关于一种像素结构以及其制程方法，像素包含位于薄膜晶体管区的薄膜晶体管及位于像素电极区的储存电容；薄膜晶体管的制程方法，包括：于基板上形成栅极导电层；于该栅极导电层上形成栅极绝缘层；于该栅极绝缘层上形成源极导电层与漏极导电层，且漏极导电层具有延伸部延伸至像素电极区；于该源极导电层与漏极导电层上形成通道层；以及于该通道层上形成保护层；储存电容借助于该延伸部及电极层为该储存电容的上电极及下电极。其中，栅极导电层、源极导电层、漏极导电层以及通道层利用金属氧化物所形成。

主权项

一种像素的结构，其特征在于，包括：一基板，具有一薄膜晶体管区及一像素电极区；一薄膜晶体管，形成于该薄膜晶体管区，且具有一漏极导电层的一延伸部延伸至该像素电极区，其中该薄膜晶体管的一通道层、一栅极导电层、一源极导电层及该漏极导电层皆为铟、镓、锌的金属氧化物；以及一储存电容，形成于该像素电极区，且以一电极层及该漏极导电层的该延伸部为该储存电容的一上电极及一下电极。