[发明专利]一种像素的结构及其制程方法

权利要求书

1.一种像素的结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一薄膜晶体管区及一像素电极区；

一薄膜晶体管，形成于该薄膜晶体管区，且具有一漏极导电层的一延伸部延伸至该像素电极区，其中该薄膜晶体管的一通道层、一栅极导电层、一源极导电层及该漏极导电层皆为铟、镓、锌的金属氧化物；以及

一储存电容，形成于该像素电极区，且以一电极层及该漏极导电层的该延伸部为该储存电容的一上电极及一下电极。

2.如权利要求1所述的一种像素的结构，其特征在于，该栅极导电层、该源极导电层、该漏极导电层及该电极层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶n，其中，n不大于4，于该通道层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶m，其中，m大于4。

3.如权利要求1所述的一种像素的结构，其特征在于，于一低含氧环境形成该栅极导电层、该源极导电层与该漏极导电层，且该低含氧环境的氧气比氩气与氧气的比例为低于2％，以及于一高含氧环境形成该通道层，该高含氧环境的氧气比氩气与氧气的比例为2％至15％。

4.如权利要求1所述的一种像素的结构，其特征在于，该信道层的厚度为50nm至100nm，该通道层的金属氧化物的能隙为3eV至3.5eV，且透光率为85％至95％。

5.如权利要求1所述的一种像素的结构，其特征在于，该漏极导电层的该延伸部延伸至整个该像素电极区，且该储存电容的一电容值正比于该电极层及该漏极导电层的该延伸部的大小。

6.一种像素的制程方法，其特征在于，包括：

提供一基板，具有一薄膜晶体管区及一像素电极区；以及

于该基板上，形成一薄膜晶体管于该薄膜晶体管区，以及形成一储存电容于该像素电极区：

其中，该薄膜晶体管的一漏极导电层具有一延伸部延伸至该像素电极区，且该储存电容以该延伸部及一电极层为该储存电容的上电极及下电极；

其中，该薄膜晶体管的一通道层、一栅极导电层、一源极导电层及该漏极导电层皆为铟、镓、锌的金属氧化物。

7.如权利要求6所述的一种像素的制程方法，其特征在于，该栅极导电层、该源极导电层、该漏极导电层及该电极层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶n，其中n，不大于4，于该通道层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶m，其中m，大于4。

8.如权利要求6所述的一种像素的制程方法，其特征在于，于一低含氧环境形成该栅极导电层、该源极导电层与该漏极导电层，且该低含氧环境的氧气比氩气与氧气的比例为低于2％，以及于一高含氧环境形成该通道层，该高含氧环境的氧气比氩气与氧气的比例为2％至15％。

9.如权利要求6所述的一种像素的制程方法，其特征在于，该信道层的厚度为50nm至100nm，该通道层的金属氧化物的能隙为3eV至3.5eV，且透光率为85％至95％。

10.如权利要求6所述的一种像素的制程方法，其特征在于，该漏极导电层的该延伸部延伸至整个该像素电极区，且该储存电容的一电容值正比于该电极层及该漏极导电层的该延伸部的大小。

11.一种像素的结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一薄膜晶体管区及一像素电极区；

一薄膜晶体管，形成于该薄膜晶体管区，且具有一漏极导电层的一延伸部延伸至该像素电极区，并且具有一像素电极层透过一穿孔与该漏极导电层电性连接，其中该薄膜晶体管的一通道层、一栅极导电层、一源极导电层及该漏极导电层皆为铟、镓、锌的金属氧化物；以及

一储存电容，形成于该像素电极区，且以一电极层及该漏极导电层的该延伸部为该储存电容的一上电极及一下电极。

12.如权利要求11所述的一种像素的结构，其特征在于，该信道层与该源极导电层、该漏极导电层电性连接，一保护层，位于该通道层上方，该栅极导电层，位于该通道层上方，以及一栅极绝缘层，位于该栅极层导电层上方。

13.如权利要求11所述的一种像素的结构，其特征在于，该栅极导电层、该源极导电层、该漏极导电层及该电极层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶n，其中，n不大于4，于该通道层的金属氧化物的铟、镓、锌及氧的比例为1∶1∶1∶m，其中m大于4。