[发明专利]一种单面电极晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单面电极晶体硅太阳能电池，所述基片的一面为设有引出电极的背光面，所述背光面上设有PN结掺杂，在PN结掺杂处设有第一金属导电极，所述背光面上PN结掺杂外的部分设有第二金属导电极；所述PN结掺杂为梳状或者栅状，第一金属导电极形状与PN结形状相同。本发明还公开了一种制备方法，包括：将基片一面织构化，并设钝化层作为受光面，另一面作为背光面；在基片背光面设置PN结掺杂区，掺杂深度为0.1μm～1μm；在PN结掺杂区内设置第一金属导电极，在PN结掺杂区以外设置第二金属导电极，作为引出电极，其中PN结掺杂区内的第一金属导电极面积小于PN结掺杂区面积；对基片进行烧结形成铝背电场。

主权项

一种单面电极晶体硅太阳能电池，包括基片，所述基片的一面为受光面，所述受光面包括表面织构化的钝化层和减反层，其特征在于，所述基片的另一面为设有引出电极的背光面，所述背光面上设有PN结掺杂，在PN结掺杂处设有第一金属导电极，所述背光面上PN结掺杂外的部分设有第二金属导电极；所述PN结掺杂为梳状或者栅状，位于PN结掺杂区内的第一金属导电极形状与所述PN结掺杂区形状适配。