[发明专利]一种单面电极晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单面电极晶体硅太阳能电池，包括基片，所述基片的一面为受光面，所述 受光面包括表面织构化的钝化层和减反层，其特征在于，所述基片的另一面为设有引 出电极的背光面，所述背光面上设有PN结掺杂，在PN结掺杂处设有第一金属导电极， 所述背光面上PN结掺杂外的部分设有第二金属导电极；所述PN结掺杂为梳状或者栅 状，位于PN结掺杂区内的第一金属导电极形状与所述PN结掺杂区形状适配；

所述基片为N型基片，所述背光面与第二金属导电极之间设置N+掺杂层；

或者，所述基片为P型基片，所述背光面与第二金属导电极之间设置P+掺杂层。

2.根据权利要求1所述的一种单面电极晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述基 片厚度为40μm～200μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种单面电极晶体硅太阳能电池，其特征在于，所 述PN结掺杂宽度为0.01mm～5mm，深度为0.1μm～1μm。

4.根据权利要求3所述的一种单面电极晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第 一金属导电极和第二金属导电极为银电极、铝电极、银铝电极中的一种。

5.一种制备权利要求1所述的背光面引出电极的晶体硅太阳能电池的方法，其特 征在于，包括以下步骤：

将基片一面织构化，并设钝化层作为受光面，另一面作为背光面；

在基片背光面进行栅状或梳状PN结掺杂，掺杂深度为0.1μm～1μm；

在PN结掺杂区内丝印第一金属导电极，在PN结掺杂区以外丝印第二金属导电极， 作为引出电极，其中PN结掺杂区内的第一金属导电极面积小于PN结掺杂区面积；

对基片进行烧结形成铝背电场。

6.根据权利要求5所述的一种单面电极晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第 一金属导电极和第二金属导电极为银电极、铝电极、银铝电极中的一种。

7.一种制备权利要求1所述的背光面引出电极的晶体硅太阳能电池的方法，其特 征在于，包括以下步骤：

准备N型基片或者P型基片，将基片一面织构化，并在基片上镀钝化层、反射层 作为受光面，另一面作为背光面；

在N型基片背光面整体掺杂N+掺杂层，或者，在P型基片背光面整体掺杂P+掺 杂层；

在基片上进行穿透所述N+掺杂层或者P+掺杂层的PN结的栅状或者梳状掺杂；

在PN结掺杂区内丝印第一金属导电极，在PN结掺杂区以外的N+掺杂层或者P+ 掺杂层上丝印第二金属导电极，作为引出电极，其中PN结掺杂区内的第一金属导电极 面积小于PN结掺杂区面积；

对基片进行烧结形成铝背电场。

8.根据权利要求7所述的一种单面电极晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第 一金属导电极和第二金属导电极为银电极、铝电极、银铝电极中的一种。