[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质有效
| 申请号： | 201010135521.X | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101840853A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吉田勇一;有马裕;山本太郎;吉原孝介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质。该基板处理装置能够抑制显影缺陷、能够抑制成品率的低下，进一步能够使后段的装置的处理的工时减少，对曝光后的基板进行加热。基板处理装置构成为，包括：加热板，其对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热；表面处理液雾化单元，其将用于提高向上述抗蚀剂供给的显影液对上述基板的浸润性的表面处理液雾化；冷却单元，其用于冷却由上述加热板加热过的基板；和表面处理液供给单元，其从由上述加热板进行的加热开始到由上述冷却单元进行的冷却结束为止，向基板供给雾化的上述表面处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 涂敷 显影 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，包括：加热板，其对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热；表面处理液雾化单元，其将用于提高向所述抗蚀剂供给的显影液对所述基板的浸润性的表面处理液雾化；冷却单元，其用于冷却由所述加热板加热过的基板；和表面处理液供给单元，其从由所述加热板进行的加热开始到由所述冷却单元进行的冷却结束为止，向基板供给雾化的所述表面处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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