[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质有效
| 申请号: | 201010135521.X | 申请日: | 2010-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN101840853A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
| 发明(设计)人: | 吉田勇一;有马裕;山本太郎;吉原孝介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘春成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 涂敷 显影 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
加热板,其对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热;
表面处理液雾化单元,其将用于提高向所述抗蚀剂供给的显影液对所述基板的浸润性的表面处理液雾化;
冷却单元,其用于冷却由所述加热板加热过的基板;和
表面处理液供给单元,其从由所述加热板进行的加热开始到由所述冷却单元进行的冷却结束为止,向基板供给雾化的所述表面处理液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
在所述加热板对基板进行加热时以向所述基板供给雾化后的表面处理液的方式输出控制信号的单元。
3.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
加热板,其对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热;
将显影液雾化的显影液雾化单元;
用于冷却由所述加热板加热过的基板的冷却单元;和
显影液供给单元,其从由所述加热板进行的加热开始到由所述冷却单元进行的冷却结束为止,向基板供给雾化的所述显影液。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
在所述加热板对基板进行加热时以向所述基板供给雾化后的处理液的方式输出控制信号的单元。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述加热板兼用作在其上载置基板的载置台,所述冷却单元是在加热板的上方区域和从该上方区域退避的区域之间移动自如的冷却板。
6.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
具备基板保持机构,其保持所述基板,并为了对基板进行加热而使基板位于加热板的上方区域,并且使基板在该上方区域与从此处退避的区域之间移动,
所述基板保持机构,具有作为通过使加热后的基板从加热板的上方区域退避而将基板冷却的冷却单元的功能。
7.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热的加热工序;
将用于提高向所述抗蚀剂供给的显影液对所述基板的浸润性的表面处理液雾化的工序;
利用冷却单元将被加热后的所述基板冷却的工序;和
从由所述加热板进行的加热开始到由所述冷却单元进行的冷却结束为止,向基板供给雾化的所述表面处理液的工序。
8.如权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于:
在进行加热所述基板的工序时,进行向基板供给雾化的表面处理液的工序。
9.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热的加热工序;
将显影液雾化的工序;
利用冷却单元将被加热后的所述基板冷却的工序;和
从由所述加热板进行的加热开始到由所述冷却单元进行的冷却结束为止,向基板供给雾化的所述显影液的工序。
10.如权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于:
在进行加热所述基板的工序时,进行向基板供给雾化的显影液的工序。
11.一种涂敷、显影装置,其特征在于,包括:
将收纳多片基板的载体搬入搬出的载体块;
处理块,其包括:向从所述载体取出的基板的表面涂敷抗蚀剂的涂敷处理部、对曝光后的涂敷有所述抗蚀剂的基板进行加热的加热处理部、向加热后的所述基板供给显影液进行显影的显影处理部、和在这些各处理部之间搬送基板的基板搬送单元;和
在该处理块与对所述抗蚀剂进行曝光的曝光装置之间进行基板的交接的接口块,
作为所述加热处理部设置有权利要求1或2所述的基板处理装置,并设置有向在所述显影处理部中被供给显影液的基板供给清洗液,除去向该基板供给的所述显影液的清洗处理部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010135521.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





