[发明专利]电阻式随机存取存储器单元无效
| 申请号： | 201010131793.2 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102201429A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 季明华;林殷茵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/84;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器单元，包括：衬底；在衬底上依次形成的掩埋氧化层和外延层；在所述外延层上依次形成的栅极介电层和栅极；在所述栅极两侧的所述外延层中形成的源区和漏区；其中所述栅极介电层的材料是铪氧化物。根据本发明的RRAM，具有高k和金属栅极的逻辑晶体管可以很容易地转化为作为非易失性RRAM执行。这使得系统级芯片的逻辑和存储器设计，很容易无缝连接地制造在一起，成为突破。本发明描述了如何将逻辑晶体管转化为RRAM单元，优选使用铪氧化物基高K电介质以利于开关，和组织为阵列和存储器操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器单元，包括：衬底；在衬底上依次形成的掩埋氧化层和外延层；在所述外延层上依次形成的栅极介电层和栅极；在所述栅极两侧的所述外延层中形成的源区和漏区；其中所述栅极介电层的材料是铪氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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