[发明专利]电阻式随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器单元，包括：

衬底；

在衬底上依次形成的掩埋氧化层和外延层；

在所述外延层上依次形成的栅极介电层和栅极；

在所述栅极两侧的所述外延层中形成的源区和漏区；

其中所述栅极介电层的材料是铪氧化物。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，还包括，分别在所述源区和漏区靠近栅极的一侧形成的轻掺杂漏区。

3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述外延层是p型或n型。

4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述源区或漏区是n+型或p+型。

5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述栅极介电层的厚度是

6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中在形成所述存储器单元时施加到所述栅极上的偏置电压是外部电源电压。

7.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述电阻式随机存取存储器单元“0”和“1”状态分别由所述栅极介电层的低电阻状态和高电阻状态表示。

8.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述存储器单元在写操作中，所述栅极的偏置电压是+0.6V，源/漏极电压均是-0.6V。

9.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述存储器单元在读操作中，所述栅极的偏置电压是+0.5V，漏极电压是+1V，源极电压是0V。

10.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中在形成栅极介电层之后，在栅极介电层中注入吸收氧原子的物质。

11.根据权利要求10所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述吸收氧原子的物质选自Si、Ti和Hf中的一种或几种。

12.一种电阻式随机存取存储器阵列，其特征在于所述阵列的单元由根据权利要求1-11之任一的电阻式随机存取存储器单元形成，所述电阻式随机存取存储器单元的漏极和源极分别连接到存储器阵列的不同位线，且栅极作为字线。

13.一种包含如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。