[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。为了控制阈值电压往沟道形成区注入杂质离子时，在沟道形成区设置杂质导入区和杂质非导入区。通过有效地图案化上述杂质非导入区，使阱区和源极区、以及阱区和漏极区各自的边界附近的沟道形成区中的与阱区相同导电类型的杂质浓度浓，从而可以引发出反向短沟道效应。通过用上述方案引发的反向短沟道效应抵消短沟道效应，可以抑制高耐压MOSFET的短沟道效应。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在半导体衬底上形成第一导电类型的阱区的工序；在所述阱区相间隔地形成第二导电类型的低浓度源极区和第二导电类型的低浓度漏极区的工序；在所述低浓度源极区内形成第二导电类型的高浓度源极区的工序；在所述低浓度漏极区内形成第二导电类型的高浓度漏极区的工序；在所述低浓度源极区内形成第一场氧化膜的工序；在所述低浓度漏极区内形成第二场氧化膜的工序；以及在所述低浓度源极区和所述低浓度漏极区之间的沟道形成区内，设置阈值调整用的设置杂质导入区和杂质非导入区进行沟道掺杂的工序。