[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010131781.X | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101814437A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 井上亚矢子;斋藤直人 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：
在半导体衬底上形成第一导电类型的阱区的工序；
在所述阱区相间隔地形成第二导电类型的低浓度源极区和第二导电类型的低浓度漏极区的工序；
在所述低浓度源极区内形成第二导电类型的高浓度源极区的工序；
在所述低浓度漏极区内形成第二导电类型的高浓度漏极区的工序；
在所述低浓度源极区内形成第一场氧化膜的工序；
在所述低浓度漏极区内形成第二场氧化膜的工序；以及
在所述低浓度源极区和所述低浓度漏极区之间的沟道形成区内，设置阈值调整用的设置杂质导入区和杂质非导入区进行沟道掺杂的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征为：所述阈值调整用的杂质导入区和所述杂质非导入区显示具有矩形窗口的格子状的图案，当所述杂质导入区相当于格子的框的部分时所述杂质非导入区则相当于格子的窗口的部分，当所述杂质非导入区相当于格子的框的部分时所述杂质导入区则相当于格子的窗口的部分。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征为：当所述阈值调整用的杂质为第一导电类型时，往相当于所述格子的框的部分导入杂质。
4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征为：当所述阈值调整用的杂质为第二导电类型时，往相当于所述格子的窗口的部分导入杂质。
5.一种半导体装置，其特征在于包括：
沿着半导体衬底的一主表面形成的第一导电类型的阱区；
在所述阱区相间隔地形成的第二导电类型的低浓度源极区和低浓度漏极区；
在所述低浓度源极区内形成的第二导电类型的高浓度源极区；
在所述低浓度漏极区内形成的第二导电类型的高浓度漏极区；
在所述低浓度源极区内使所述高浓度源极区和一端部相接触地配置的第一场氧化膜；
在所述低浓度漏极区内使所述高浓度源极区和一端部相接触地配置的第二场氧化膜；
在所述低浓度源极区和所述低浓度漏极区之间的沟道形成区；以及
在所述沟道形成区上隔着栅极氧化膜而设置的栅电极，
所述沟道形成区在所述低浓度源极区和低浓度漏极区的边界附近的周边部具有第一浓度的第一导电类型的杂质区，在非周边部具有第二浓度的第一导电类型的杂质区。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征为：所述阈值调整用的所述第一导电类型杂质的所述第一浓度高于所述第二浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
