[发明专利]半导体装置

摘要

提供具有ESD保护用N型MOS晶体管的半导体装置，即使与晶体管连接的布线从与晶体管的沟道宽度方向成垂直的方向引入，也可以在对ESD做保护动作时，使晶体管全体均一地动作。在具有漏极区与源极区各一个夹住栅电极地交互配置的，多个晶体管成一体化的结构的ESD保护用N型MOS晶体管中，与源极区连接的第一金属布线与第二金属布线连接，使第一金属布线和第二金属布线电性连接的具有一定大小的通孔的配置数对应于从外部布线到ESD保护用N型MOS晶体管的布线距离成为1至3的个数比。

主权项

一种半导体装置，具有一个漏极区与一个源极区夹住栅电极地交互配置的，多个晶体管成一体化的多指型的ESD保护用N型MOS晶体管，其中，所述漏极区与外部连接端子电性连接，所述源极区通过所述源极区上配置并连接的第一金属布线和有一定大小的通孔，经由与所述第一金属布线连接的第二金属布线电性连接至接地电位供给线，配置成所述通孔的个数对应于与所述接地电位供给线的距离越远就越多。