[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有多个漏极区和多个源极区交互配置， 在所述漏极区和所述源极区之间配置有栅电极，多个晶体管成一体化 的多指型的ESD保护用N型MOS晶体管，其中，

所述漏极区与外部连接端子电性连接，

经由在所述源极区上配置连接的第一金属布线和通过具有一定 大小的通孔与所述第一金属布线连接的第二金属布线，所述源极区电 性连接至接地电位供给线，

配置成所述通孔的个数对应于与所述接地电位供给线的距离越 远就越多。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二金属布线从与所述ESD保护用N型MOS晶体管的沟 道宽度方向成垂直的方向布线，所述第一金属布线在与所述ESD保 护用N型MOS晶体管的沟道宽度方向成水平的方向配置，所述第二 金属布线与所述第一金属布线在所述源极区上方区域通过所述通孔 连接。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

离接地电位供给线最远的位置上配置的源极区上的通孔配置个 数与离接地电位供给线最近的位置上配置的源极区上的通孔配置个 数之比不超过3。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一金属布线及所述第二金属布线包含高熔点金属。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述通孔配置成在所述源极区上配置并连接的第一金属布线中， 与所述ESD保护用N型MOS晶体管的沟道宽度方向成水平的方向 上广泛分布。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述通孔固定配置于在所述源极区上配置并连接的第一金属布 线的一部分区域之上。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

离接地电位供给线最远的位置上配置的源极区上的通孔配置个 数与离接地电位供给线最近的位置上配置的源极区上的通孔配置个 数之比不超过3。

8.一种半导体装置，具有多个漏极区和多个源极区交互配置， 在所述漏极区和所述源极区之间配置有栅电极，多个晶体管成一体化 的多指型的ESD保护用N型MOS晶体管，其中，

各所述漏极区与外部连接端子电性连接，

经由在各所述源极区上配置连接的第一金属布线和通过在所述 第一金属布线上配置的通孔与所述第一金属布线连接的第二金属布 线，各所述源极区电性连接至接地电位供给线，

在各所述源极区中，使相加所述接地电位供给线上连接的所述第 二金属布线的布线电阻与所述通孔的连接电阻的各个电阻值相互大 致相等。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述通孔有一定的大小，通过改变所述第一金属布线上配置的所 述通孔的个数，使所述各个电阻值相互大致相等。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述通孔是有一定宽度的线状通孔，通过改变所述第一金属布线 上配置的所述线状通孔的长度，使所述各个电阻值相互大至相等。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述第二金属布线与所述接地电位供给线的距离越远，与所述 ESD保护用N型MOS晶体管的宽度平行的方向上布线宽度就越大。

12.一种半导体装置，具有多个漏极区和多个源极区交互配置， 在所述漏极区和所述源极区之间配置有栅电极，多个晶体管成一体化 的多指型的ESD保护用N型MOS晶体管，其中，

所述漏极区与外部连接端子电性连接，

经由在所述源极区上配置连接的第一金属布线和通过具有一定 宽度的线状通孔连接到所述第一金属布线的第二金属布线，所述源极 区与接地电位供给线电性连接，

配置成所述线状通孔的长度对应于与所述接地电位供给线的距 离越远就越长。