[发明专利]一种NMOS管辅助触发的可控硅电路

摘要

本发明公开了一种NMOS管辅助触发的可控硅电路，用于核心电路的ESD防护，包括内嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管和PMOS管组成的反相器；反相器的输入端接核心电路的VDD电源线。在ESD情况下，由于本发明电路内嵌的NMOS能够导通，可以提供大的电流，从而触发可控硅，因此内嵌的NMOS管的尺寸可以做的比较小。这样该防护电路不仅能够在较低的电压下触发泄放静电，也能在电路正常工作时具有小的漏电。

主权项

一种NMOS管辅助触发的可控硅电路，用于核心电路的ESD防护，其特征在于：包括内嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管(Mn)和PMOS管(Mp)组成的反相器；所述的内嵌NMOS管的可控硅包括P型衬底(21)，P型衬底(21)上注有P阱(22)和N阱(26)，P阱(22)中从外向内依次设有第一P+注入区(24a)、第四N+注入区(25d)、第三N+注入区(25c)、第三P+注入区(24c)以及第一N+注入区(25a)，N阱上从外向内依次设有第二N+注入区(25b)和第二P+注入区(24b)，除第四N+注入区(25d)和第三N+注入区(25c)之间外，所有注入区通过浅沟槽(23)隔离，第四N+注入区(25d)和第三N+注入区(25c)之间的P阱(22)上设有层叠的SiO2氧化层(27)和多晶硅层(28)；NMOS管(Mn)和PMOS管(MP)的栅极连接核心电路的VDD电源线，NMOS管(Mn)和PMOS管(MP)的漏极连接多晶硅层(28)，第一P+注入区(24a)、第一N+注入区(25a)、NMOS管(Mn)的源极和衬底接地，第二P+注入区(24b)、PMOS管(Mp)的源极和衬底连接核心电路的输入端；第四N+注入区(25d)与第二N+注入区(25b)相连接，第三N+注入区(25c)与第三P+注入区(24c)相连接。