[发明专利]一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料及其制备方法无效
申请号: | 201010130581.2 | 申请日: | 2010-03-22 |
公开(公告)号: | CN102199356A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 党智敏;夏兵 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08K3/04;C08K3/24;B29C43/02;B29C35/02;H01B3/28 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料及其制备方法。材料包括:无机材料:导电填料碳黑CB粉和钛酸钡BaTiO3(BT),有机材料甲基乙烯基硅橡胶VMQ,其配方按体积比为:炭黑CB粉体0.5~4%,钛酸钡粉体(BT)40%及甲基乙烯基硅橡胶VMQ 56~59.5%;制备方法是将BT、CB粉体热处理、研磨,配制VMQ溶液,采用溶液法混合及低温热压硫化方法压制成型,并后处理。本发明的三相体(CB/BaTiO3/VMQ)介电常数高、介电损耗低、弹性高,热压法降低成型温度、缩短制备时间,成型方便,并在较短的时间内获得了性能稳定、韧性好的复合材料,从而节省了时间和能源。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 弹性 三相 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料,其特征在于,包括:无机材料:导电填料碳黑CB粉和钛酸钡BaTiO3(BT),有机材料甲基乙烯基硅橡胶VMQ,其配方按体积比为:炭黑CB粉体0.5~4%,钛酸钡粉体(BT)40%及甲基乙烯基硅橡胶VMQ 56~59.5%。
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