[发明专利]一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201010130581.2 | 申请日: | 2010-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN102199356A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 党智敏;夏兵 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
| 主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08K3/04;C08K3/24;B29C43/02;B29C35/02;H01B3/28 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 介电常数 弹性 三相 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料,其特征在于,包括:无机材料:导电填料碳黑CB粉和钛酸钡BaTiO3(BT),有机材料甲基乙烯基硅橡胶VMQ,其配方按体积比为:炭黑CB粉体0.5~4%,钛酸钡粉体(BT)40%及甲基乙烯基硅橡胶VMQ 56~59.5%。
2.按照权利要求1的一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料,其特征在于,所述导电填料碳黑CB粒度为50nm,钛酸钡的粒度为0.1μm。
3.权利要求1的三相体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,采用溶液法混合及低温热压硫化方法压制成型,其制备工艺过程为:
1)配料:按上述配方取粒度为50nm炭黑、粒度为0.1μm的钛酸钡粉体(BT)和甲基乙烯基硅橡胶,使炭黑CB粉体占总体积0.5~4%,钛酸钡粉体(BT)占总体积40%及甲基乙烯基硅橡胶VMQ占总体积56~59.5%;
2)配样:将甲基乙烯基硅橡胶溶于四氢呋喃THF中,碳黑粉经热处理干燥、研磨后与钛酸钡粉(BT)加入硅橡胶溶液中混合、搅拌均匀;
3)成型:待混合均匀的硅橡胶溶液搅拌蒸干后,将得到的三元复合材料置于压片机上,于170℃,15MPa下热压硫化15min成型后,在190℃的烘箱中进行3小时的二段硫化,得到三相体(CB/BaTiO3/VMQ)纳米复合材料。
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