[发明专利]一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺无效
| 申请号： | 201010129782.0 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101838851A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周建明;严郁刚;郑王海 | 申请（专利权）人： | 浙江明峰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺，该工艺是准备一水槽，与废液处理设备相连，通入清水，使清水保持流动状态，将经过超声碱洗后的单晶或多晶硅片完全浸没并悬浮在水槽中，之后，在水槽中加入氢氟酸并与水混合，形成浓度保持在1～5％之间的氢氟酸溶液，使氢氟酸溶液与硅片表面充分接触进行流动式清洗。采用本发明方法，由于反应物悬浮在液面随着流动的氢氟酸溶液一起进入废液处理设备，且反应充分、迅速，能减少酸的用量并产生较小的酸雾，有利于环境保护，并能达到清洗速度快、清洗质量高的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 酸洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺，其特征在于准备一水槽，与废液处理设备相连，通入清水，使清水保持流动状态，将经过超声碱洗后的单晶或多晶硅片完全浸没并悬浮在水槽中，之后，在水槽中加入氢氟酸并与水混合形成氢氟酸溶液，使氢氟酸溶液与硅片表面充分接触进行流动式清洗。
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