[发明专利]一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺。

背景技术

目前，在生产单晶或多晶硅片过程中，其表面会残留切割液、金属离子、氧化皮、其它杂质等，因此需要进行清洗。通常的方法是进行超声碱洗、酸洗、超声漂洗，而其中的酸洗工艺一般采用翻转式浸泡方法，即将硅料进入槽体后浸泡在酸液中作翻转动作进行清洗。这种方法酸的用量较大，会造成硅料的较大损耗，表面清洁也不彻底，同时产生大量的酸性汽雾，造成排放的废气过多，对外部环境也产生了一定影响。

发明内容

本发明的目的是提供能降低酸的用量，清洗速度快、清洗质量高的一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺。

本发明采取的技术方案是：一种单晶或多晶硅片的酸洗工艺，其特征在于准备一水槽，与废液处理设备相连，通入清水，使清水保持流动状态，将经过超声碱洗后的单晶或多晶硅片完全浸没并悬浮在水槽中，之后，在水槽中加入氢氟酸并与水混合形成氢氟酸溶液，使氢氟酸溶液与硅片表面充分接触进行流动式清洗。

所述的氢氟酸溶液浓度保持在1～5％之间。

采用本发明方法，由于反应物悬浮在液面随着流动的氢氟酸溶液一起进入废液处理设备，且反应充分、迅速，能减少酸的用量并产生较小的酸雾，有利于环境保护，并能达到清洗速度快、清洗质量高的目的。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

1、利用一个50cm×250cm的水槽，与废液处理设备相连。

2、在水槽中通入清水，使清水保持流动状态。

3、在水槽中放入单晶或多晶硅片，浸没并悬浮在水中。

4、在水中加入氢氟酸(HF)，使氢氟酸(HF)溶液的浓度保持在1～5％之间。

5、使单晶或多晶硅片在氢氟酸(HF)溶液中保持一定时间，之后，取出单晶或多晶硅片即可。

根据上述，由于水的比重为1，氢氟酸(HF)的密度为1.15～1.18，硅的密度为2.33，因此，氢氟酸(HF)会与水充分混合并在水槽中流动，能与单晶或多晶硅片的各个表面充分接触，与附着在硅表面的石英充分反应，生成液态的水与气态的四氟化硅，四氟化硅进入废气处理设备进行处理，而附着与生产分离后的P型重掺及其它杂质在酸的作用下，均成为一些小的片状及颗粒状的不溶于水的物质，其重力小于酸溶液的浮力，这些反应生成的杂质全部都悬浮在酸溶液表面，一并流进废液处理设备中。

因为氢氟酸(HF)会与水充分混合并在水槽中流动，能与单晶或多晶硅片的各个表面充分接触，并使反应物随着流动的酸溶液一起进入废液处理设备，因此，反应完全、充分、迅速，能提高单晶或多晶硅片的表面清洁度，可减少酸的用量并产生较小的酸雾，降低成本，有利于环境保护。