[发明专利]基板处理方法

摘要

本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座(12)载置晶片(W)之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层(40)的开口部(41)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生等离子体，当通过宽度被缩小的开口部(41)在硬掩模层(39)形成开口部(42)的同时，缩小该开口部(42)的宽度时，对基座(12)施加离子引入用和等离子体生成用的高频电力，由CF4气体、CH4气体、和O2气体产生等离子体，进而，当缩小形成于下部光致抗蚀剂层(38)的开口部(43)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由C4F8气体和O2气体产生等离子体。

主权项

一种处理基板的基板处理方法，所述基板载置于载置台上，所述载置台被施加有第一频率的高频电力和比所述第一频率高的第二频率的高频电力，所述基板在被处理层上依次形成有下部光致抗蚀剂层、含硅的硬掩模层、和上部光致抗蚀剂层，所述基板处理方法的特征在于，包括：第一宽度缩小步骤，利用等离子体将形成于所述上部光致抗蚀剂层的、并且使所述硬掩模层露出的第一开口部的宽度缩小；第二宽度缩小步骤，经由宽度已被缩小的所述第一开口部在所述硬掩模层形成使所述下部光致抗蚀剂层露出的第二开口部的同时，利用等离子体缩小该第二开口部的宽度；第三开口部形成步骤，经由宽度已被缩小的所述第二开口部形成使所述被处理层露出的第三开口部；和第三宽度缩小步骤，利用等离子体缩小该已被形成的第三开口部的宽度，在所述第一宽度缩小步骤中，对所述载置台不施加所述第一频率的高频电力而仅施加所述第二频率的高频电力，由CF4气体和CH4气体的混合气体产生等离子体；在所述第二宽度缩小步骤中，对所述载置台施加所述第一频率的高频电力和所述第二频率的高频电力，由至少含有CF4气体和CH4气体的混合气体产生等离子体；在所述第三宽度缩小步骤中，对所述载置台不施加所述第一频率的高频电力而仅施加所述第二频率的高频电力，由至少含有C4F8气体的混合气体产生等离子体。