[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201010129334.0 | 申请日: | 2010-03-05 |
公开(公告)号: | CN101826455A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 近藤崇 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
1.一种处理基板的基板处理方法,所述基板载置于载置台上, 所述载置台被施加有第一频率的高频电力和比所述第一频率高的第二 频率的高频电力,所述基板在被处理层上依次形成有下部光致抗蚀剂 层、含硅的硬掩模层、和上部光致抗蚀剂层,所述基板处理方法的特 征在于,包括:
第一宽度缩小步骤,利用等离子体将形成于所述上部光致抗蚀剂 层的、并且使所述硬掩模层露出的第一开口部的宽度缩小;
第二宽度缩小步骤,经由宽度已被缩小的所述第一开口部在所述 硬掩模层形成使所述下部光致抗蚀剂层露出的第二开口部的同时,利 用等离子体缩小该第二开口部的宽度;
第三开口部形成步骤,经由宽度已被缩小的所述第二开口部形成 使所述被处理层露出的第三开口部;和
第三宽度缩小步骤,利用等离子体缩小该已被形成的第三开口部 的宽度,
在所述第一宽度缩小步骤中,对所述载置台不施加所述第一频率 的高频电力而仅施加所述第二频率的高频电力,由CF4气体和CH4气 体的混合气体产生等离子体;
在所述第二宽度缩小步骤中,对所述载置台施加所述第一频率的 高频电力和所述第二频率的高频电力,由至少含有CF4气体和CH4气 体的混合气体产生等离子体;
在所述第三宽度缩小步骤中,对所述载置台不施加所述第一频率 的高频电力而仅施加所述第二频率的高频电力,由至少含有C4F8气体 的混合气体产生等离子体。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
在进行所述第三开口部形成步骤之前,反复进行所述第一宽度缩 小步骤和所述第二宽度缩小步骤。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于:
还具有经由宽度已被缩小的所述第三开口部蚀刻所述被处理层的 被处理层蚀刻步骤。
4.一种处理基板的基板处理方法,所述基板载置于载置台上,所 述载置台被施加有第一频率的高频电力和比所述第一频率高的第二频 率的高频电力,所述基板在被处理层上形成有光致抗蚀剂层,所述基 板处理方法的特征在于:
具有利用等离子体缩小形成于所述光致抗蚀剂层的开口部的宽度 的宽度缩小步骤,
在所述宽度缩小步骤中,对所述载置台不施加所述第一频率的高 频电力而仅施加所述第二频率的高频电力,由CF4气体和CH4气体的 混合气体产生等离子体。
5.一种处理基板的基板处理方法,所述基板载置于载置台上,所 述载置台被施加有第一频率的高频电力和比所述第一频率高的第二频 率的高频电力,所述基板在被处理层上形成有光致抗蚀剂层,所述基 板处理方法的特征在于:
具有利用等离子体缩小形成于所述光致抗蚀剂层的开口部的宽度 的宽度缩小步骤,
在所述宽度缩小步骤中,对所述载置台不施加所述第一频率的高 频电力而仅施加所述第二频率的高频电力,由至少含有C4F8气体的混 合气体产生等离子体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造