[发明专利]发光二极管装置无效
申请号: | 201010128139.6 | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN102148313A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 吕宗霖;郭信男 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是一种发光二极管装置。该发光二极管装置包含一基板、一发光二极管芯片及一封装主体。发光二极管芯片设置于该基板上,并且包含一顶面。封装主体设置于该基板上,完全包覆发光二极管芯片,并且具有一第一封装层及一第二封装层。第一封装层及第二封装层的材料包含一波长转换物质。第一封装层位于顶面上方,并且具有一相对于该第二封装层较高的该波长转换物质的重量百分比浓度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】:
一种发光二极管装置,其特征在于,包含:一基板;一发光二极管芯片,设置于该基板上,并且包含一顶面;以及一封装主体,设置于该基板上,完全包覆该发光二极管芯片,并且具有一第一封装层及一第二封装层;其中该第一封装层及该第二封装层的材料包含一波长转换物质,该第一封装层位于该顶面上方,并且具有一相对于该第二封装层较高的该波长转换物质的重量百分比浓度。
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