[发明专利]发光二极管装置无效
| 申请号： | 201010128139.6 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148313A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 吕宗霖;郭信男 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一基板；
一发光二极管芯片，设置于该基板上，并且包含一顶面；以及
一封装主体，设置于该基板上，完全包覆该发光二极管芯片，并且具有一第一封装层及一第二封装层；
其中该第一封装层及该第二封装层的材料包含一波长转换物质，该第一封装层位于该顶面上方，并且具有一相对于该第二封装层较高的该波长转换物质的重量百分比浓度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一封装层实质上包覆该顶面的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，该封装主体还包含一透镜结构，设置于该第一封装层及该第二封装层之上。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该透镜结构与该第二封装层一体成型。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该顶面具有一第一次顶面及一第二次顶面，该第一封装层包覆该第一次顶面及该第二次顶面的至少一部分。
6.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二封装层完全包覆该第一封装层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二封装层的材料还包含一扩散剂。
8.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一封装层的该波长转换物质的重量百分比浓度是介于5％至20％之间，该第二封装层的该波长转换物质的重量百分比度是介于0.5至3％之间。
9.根据权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二封装层的该扩散剂的重量百分比浓度是小于10％。
10.根据权利要求9所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一封装层及该第二封装层的材料还包含一封装胶体。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，该封装胶体的一材质是选自环氧树脂及硅树脂所组成的群组。
12.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该发光二极管芯片是一蓝光发光二极管芯片，该波长转换物质是一磷光体。
13.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，垂直于该顶面的一方向是该发光二极管芯片的主要发光强度方向。
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