[发明专利]一种基于高介电常数材料的抗辐照SOI器件及制备方法无效
| 申请号： | 201010128019.6 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194827A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄德涛;刘文;王健;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述的埋氧化层与有源区硅层之间有隔离层，所述隔离层采用高介电常数材料制成。该新型结构的SOI器件基于主流的SOI制造技术，与传统工艺完全兼容；在保持原有SOI器件优良特性的同时，提高了其抗辐照能力；该结构对于减小总剂量辐照引起的SOI集成电路功耗增加及增强芯片可靠性方面有着明显的优势和广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 介电常数 材料 辐照 soi 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于高介电常数材料的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述的埋氧化层与有源区硅层之间有隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
