[发明专利]一种无掩模光刻技术的曝光方法无效
| 申请号： | 201010127390.0 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101799635A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 庞微 | 申请（专利权）人： | 芯硕半导体(中国)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230601 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无掩模光刻技术的曝光方法，涉及光刻技术领域。本发明利用空间光调制器(SLM)调制产生的“数字掩模”经二维交叠(X方向左右交叠和Y方向上下交叠)形成目标曝光图形，交叠处曝光图形的曝光能量为梯度变化叠加，从而获得高质量目标曝光图形。本发明提出的曝光方法解决了无掩模光刻曝光技术中的拼接问题，大大减小了曝光图形的拼接误差，同时改善了因畸变原因而导致曝光图形异常的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无掩模 光刻 技术 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种无掩模光刻技术的曝光方法，照明光源发出的光入射至空间光调制器，所述空间光调制器调制入射光产生数字掩模，其特征在于：空间光调制器调制产生的数字掩模以一定缩放比例，投影在放置于可移动的曝光台的曝光基片上，控制曝光台沿二维坐标X方向左右及Y方向上下移动，则空间光调制器的数字掩模在曝光基板上形成多幅小曝光图像，所述多幅小曝光图像拼接构成目标图形，相邻的小曝光图像在X方向和Y方向上有交叠区域。
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