[发明专利]一种无掩模光刻技术的曝光方法无效
申请号: | 201010127390.0 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN101799635A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 庞微 | 申请(专利权)人: | 芯硕半导体(中国)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230601 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无掩模 光刻 技术 曝光 方法 | ||
1.一种无掩模光刻技术的曝光方法,照明光源发出的光入射至空间光调制器,所述空间光调制器调制入射光产生数字掩模,其特征在于:空间光调制器调制产生的数字掩模以一定缩放比例,投影在放置于可移动的曝光台的曝光基片上,控制曝光台沿二维坐标X方向左右及Y方向上下移动,则空间光调制器的数字掩模在曝光基板上形成多幅小曝光图像,所述多幅小曝光图像拼接构成目标图形,相邻的小曝光图像在X方向和Y方向上有交叠区域。
2.根据权利要求1所述的无掩模光刻技术的曝光方法,其特征在于:控制空间光调制器,使空间光调制器在所述多幅小曝光图像在彼此之间的交叠区域上的曝光能量按照先等比例递增再相同比例递减变化,或者按照先等比例递减再相同比例递增变化,使得交叠区域上的曝光能量等于非交叠区域的曝光能量,完成光目标图像的曝光。
3.根据权利要求2所述的无掩模光刻技术的曝光方法,其特征在于:在X方向左边交叠区域或者Y方向上方交叠区域,交叠区域的曝光能量按照需要曝光能量的一定比例1/n,2/n,……,(n-1)/n递增变化(n为大于1的整数),X方向右边交叠区域或者Y方向下方交叠区域,交叠区域的曝光能量按照需要曝光能量的一定比例(n-1)/n,……,2/n,1/n递减变化(n为大于1的整数)。
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