[发明专利]一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用有效
| 申请号： | 201010126863.5 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101805131A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高彦峰;张宗涛;杜靖;康利涛;罗宏杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于化学功能材料领域，涉及一种二氧化钒薄膜的低温制备方法及应用。该制备方法采用低毒性的乙酰丙酮氧钒为反应物，在250℃-750℃，控制烧结气氛条件下获得具有相变特性的二氧化钒薄膜。该薄膜的相变温度可调整至室温附近。该方法耗能少、制备工艺简单、安全性好、获得的二氧化钒薄膜烧结温度低，适合于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 低温 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)镀膜液制备：以乙酰丙酮氧钒为原料制备镀膜液；(2)镀膜液镀膜：取上述镀膜液，在清洗过的石英玻璃衬底上镀制所需厚度的二氧化钒薄膜，烘干处理，以备烧结使用；(3)二氧化钒薄膜的烧结：将步骤(2)中烘干处理的薄膜，在氧分压为1×10-8-4×10-1的含氧气混合气体中进行烧结，烧结温度为250℃-750℃，烧结时间为1min.-20h，烧结完毕，冷却后取出，得到二氧化钒薄膜。
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