[发明专利]一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用有效
| 申请号： | 201010126863.5 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101805131A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高彦峰;张宗涛;杜靖;康利涛;罗宏杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 低温 制备 方法 应用 | ||
1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)镀膜液制备：以乙酰丙酮氧钒为原料制备镀膜液；
(2)镀膜液镀膜：取上述镀膜液，在清洗过的石英玻璃衬底上镀制所需厚度的二氧化钒 薄膜，烘干处理，以备烧结使用；
(3)二氧化钒薄膜的烧结：将步骤(2)中烘干处理的薄膜，在氧分压为1×10-8-4×10-1的含氧气混合气体中进行烧结，烧结温度为250℃-530℃，烧结时间为1min.-20h，烧 结完毕，冷却后取出，得到二氧化钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：所述的含氧气混合气体 为氧-氮混合气体、氧-氩混合气体、氧-二氧化碳混合气体或者氧-氨气混合气体中的一 种或几种。
3.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：所述的烧结温度为300 ℃-530℃。
4.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：所述的氧分压为 3×10-7-2.5×10-1。
5.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：所述的石英玻璃衬底的 清洗采用标准的RCA工艺清洗。
6.根据权利要求1-5任一所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法获 得的二氧化钒薄膜的相变温度在本征相变温度以下。
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