[发明专利]经外延涂覆的硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201010125930.1 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101814428A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·哈布雷希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B25/02;C30B29/06;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 经外延涂覆的硅晶片的制造方法，在该方法中提供多个至少在其正面上经抛光的硅晶片并以如下方式分别依次在外延反应器中单独地进行涂覆，将每一个所提供的硅晶片分别放置在位于外延反应器中的基座上，在第一步骤中仅以1至100slm的氢气流量于氢气氛中进行预处理，以及在第二步骤中在向氢气氛添加蚀刻介质的情况下以1至100slm的氢气流量及0.5至1.5slm的蚀刻介质流量在950至1050℃的平均温度下进行预处理，随后在其经抛光的正面上进行外延涂覆，并从外延反应器中取出，其中在预处理的第二步骤中以如下方式控制设置在基座上方和下方的加热元件的功率，使得在待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称的区域与位于该区域以外的硅晶片部分之间的温度差为5至30℃。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
经外延涂覆的硅晶片的制造方法，在该方法中提供多个至少在其正面上经抛光的硅晶片并以如下方式分别依次在外延反应器中单独地进行涂覆，将每一个所提供的硅晶片分别放置在位于外延反应器中的基座上，在第一步骤中仅以1至100slm的氢气流量于氢气氛中进行预处理，以及在第二步骤中在向氢气氛添加蚀刻介质的情况下以1至100slm的氢气流量及0.5至1.5slm的蚀刻介质流量在950至1050℃的平均温度下进行预处理，随后在其经抛光的正面上进行外延涂覆，并从外延反应器中取出，其中在预处理的第二步骤中以如下方式控制设置在基座上方和下方的加热元件的功率，使得在待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称的区域与位于该区域以外的硅晶片部分之间的温度差为5至30℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
