[发明专利]经外延涂覆的硅晶片的制造方法

权利要求书

1.经外延涂覆的硅晶片的制造方法，在该方法中提供多个至少在其 正面上经抛光的硅晶片并以如下方式分别依次在外延反应器中单独地进 行涂覆，将每一个所提供的硅晶片分别放置在位于外延反应器中的基座 上，在第一步骤中仅以1至100slm的氢气流量于氢气氛中进行预处理， 以及在第二步骤中在向氢气氛添加蚀刻介质的情况下以1至100slm的 氢气流量及0.5至1.5slm的蚀刻介质流量在950至1050℃的平均温度下 进行预处理，随后在其经抛光的正面上进行外延涂覆，并从外延反应器 中取出，其中在预处理的第二步骤中以如下方式控制设置在基座上方和 下方的加热元件的功率，使得在待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的 径向对称的区域与位于该区域以外的硅晶片部分之间的温度差为5至 30℃。

2.根据权利要求1的方法，其中，在两个预处理步骤中氢气流量均 为40至60slm。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，在两个预处理步骤中预处理 的持续时间均为10至120秒。

4.根据权利要求1或2的方法，其中，在预处理的第二步骤中硅晶 片上的温度差为10至20℃。

5.根据权利要求1或2的方法，其中，两个预处理步骤均是在950 至1050℃的平均温度下实施的。

6.根据权利要求1或2的方法，其中，在980至1020℃的平均温 度下实施预处理的第二步骤。

7.根据权利要求1或2的方法，其中，待进行外延涂覆的硅晶片围 绕中心轴的径向对称的区域的直径最大为硅晶片直径的50％。

8.根据权利要求1或2的方法，其中，所述硅晶片的直径为300mm， 而待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称的区域的直径为1至 150mm。

9.根据权利要求1或2的方法，其中，所述硅晶片的直径为450mm， 而待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称的区域的直径为1至 250mm。

10.根据权利要求1或2的方法，其中，所述外延涂覆步骤是在950 至1200℃的温度范围内以及在硅晶片和基座上的温度分布均匀的情况下 进行的。

11.根据权利要求1或2的方法，其中，所述加热元件是红外灯。

12.根据权利要求1或2的方法，其中，所提供的硅晶片为由单晶 硅构成的晶片、绝缘体上硅晶片、具有应变硅层的硅晶片或者绝缘体上 应变硅晶片，它们均具有150mm、200mm、300mm或450mm的直径。