[发明专利]透明导电叠层体及其制造方法无效
| 申请号: | 201010121586.9 | 申请日: | 2010-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN102194539A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 陈炫达;徐明鸿;赖俊光 | 申请(专利权)人: | 联享光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00;G06F3/041;B32B9/04 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;吕俊清 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明涉及透明导电叠层体及其制造方法,本发明一实施例的透明导电叠层体包含一有机聚合物的透明基材、一色差调整层及一透明导电的铟锡氧化物层。该色差调整层形成于该透明基材表面,其折射率在1.4~1.8之间及厚度为1~100nm。该透明导电的铟锡氧化物层是于室温至80℃的温度范围条件下形成于该色差调整层表面,其厚度为5~80nm,又其构成元素铟(In)及锡(Sn)的比例需满足重量百分比关系:Sn/(Sn+In)=0.5%~7%。且该透明导电叠层体的电子能隙大于3.6eV。 | ||
| 搜索关键词: | 透明 导电 叠层体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电叠层体,其特征在于,包含:一有机聚合物构成的透明基材;一色差调整层,设于该透明基材表面,其折射率在1.4~1.8之间及厚度为1~100nm;以及一透明导电的铟锡氧化物层,设于该色差调整层表面,该透明导电的铟锡氧化物层的厚度介于10~50nm,又其构成元素铟及锡的比例需满足重量百分比关系:Sn/(Sn+In)=0.5%~7%;其中该透明导电叠层体的电子能隙大于3.6eV。
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