[发明专利]透明导电叠层体及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电叠层体，其特征在于，包含：

一有机聚合物构成的透明基材；

一色差调整层，设于该透明基材表面，其折射率在1.4～1.8之间及厚度为1～100nm；以及

一透明导电的铟锡氧化物层，设于该色差调整层表面，该透明导电的铟锡氧化物层的厚度介于10～50nm，又其构成元素铟及锡的比例需满足重量百分比关系：Sn/(Sn+In)＝0.5％～7％；

其中该透明导电叠层体的电子能隙大于3.6eV。

2.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层是于室温至80℃的范围内形成于该透明基材表面。

3.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层是于40℃至80℃的范围内形成于该透明基材表面。

4.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层包含锡掺杂。

5.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该有机聚合物选自聚对苯二甲酸乙二酯、芳香族聚酯、聚醚砜、聚萘二甲酸二乙酯或聚碳酸酯高分子。

6.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电叠层体的电子能隙大于3.9eV。

7.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该色差调整层为金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的透明导电叠层体，其特征在于，该金属氧化物为SiO₂或SiAlO₂。

9.权利要求1～8任意一项所述的透明导电叠层体的制造方法，其特征在于，包含步骤如下：

提供一有机聚合物构成的透明基材；

于该有机聚合物构成的透明基材上形成一折射率在1.4～1.8之间及厚度为1～100nm的色差调整层；以及

使用包含锡及铟的靶材，并于室温至80℃的范围内在该色差调整层上形成一透明导电的铟锡氧化物层；

其中该透明导电叠层体的电子能隙大于3.6eV。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包含于130℃至150℃的温度环境下对该透明导电叠层体进行30分钟之后加热处理的步骤。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层是以连续式溅镀工艺形成。

12.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层的形成温度范围是介于40℃至80℃。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层形成时所在的环境是维持真空度低于5×10^-6torr。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层形成时所在的环境是维持真空度低于2×10^-6torr。

15.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该靶材为低锡掺杂的铟锡氧化物靶材。

16.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该靶材为铟及锡的金属靶材。

17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包含掺杂微量锡于该透明导电的铟锡氧化物层的步骤。

18.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包含于该透明导电的铟锡氧化物层形成时加热该有机聚合物的透明基材至室温到80℃间的步骤。

19.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该电子能隙大于3.9eV。

20.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该色差调整层为金属氧化物。

21.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，该金属氧化物为SiO₂或SiAlO₂。

22.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，该色差调整层是以溅镀工艺形成。