[发明专利]一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法有效
| 申请号： | 201010118597.1 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101861048A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 宁中喜;于达仁;丁永杰;颜世林 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/02 | 分类号： | H05H1/02;H05H1/10;F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，它涉及一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法。它解决了现有霍尔推力器通道内磁透镜下等离子体束聚焦仅依赖于磁透镜位形调节，调节手段单一的问题，本发明的具体过程为：步骤一，获取磁透镜位形和等离子体束聚焦指标，并计算霍尔推力器通道内的满足等离子体束聚焦指标的离子射流聚焦区；步骤二：实测霍尔推力器通道内的工质电离分布区域，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内，实现等离子体束聚焦。本发明为霍尔推力器的广泛应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透镜 等离子体 聚焦 方法 | ||
【主权项】：
一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于它的具体过程为：步骤一：获取磁透镜位形和等离子体束聚焦指标，并计算霍尔推力器通道内的满足等离子体束聚焦指标的离子射流聚焦区；步骤二：实测霍尔推力器通道内的工质电离分布区域，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内，实现等离子体束聚焦。
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