[发明专利]一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法

权利要求书

1.一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于它的具体过程为：

步骤一：获取磁透镜位形和等离子体束聚焦指标，并计算霍尔推力器通道内的满足等离子体束聚焦指标的离子射流聚焦区；

步骤二：实测霍尔推力器通道内的工质电离分布区域，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内，实现等离子体束聚焦。

2.根据权利要求1所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于在步骤一中，计算霍尔推力器通道内的满足等离子体束聚焦指标的离子射流聚焦区的方法为：通过求解单个离子在整个磁场内的运动轨迹，获得离子产生区域，所述离子产生区域为小于等离子体束聚焦指标的霍尔推力器通道内的离子射流聚焦区，其中，表示离子径向速度，表示弯曲方向，表示离子轴向速度，表示时间变量。

3.根据权利要求1或2所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于在步骤二中，利用光谱法或探针法实测霍尔推力器通道内的工质电离分布区域。

4.根据权利要求1或2所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于在步骤二中，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内的方法是：通过调节霍尔推力器通道内电压来改变电离截面实现的。

5.根据权利要求4所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于霍尔推力器通道内电压的调节范围为300V～600V，获得电离截面变化范围为1x10^-20～3x10^-20m^-2。

6.根据权利要求1或2所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于在步骤二中，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内的方法是：通过调节霍尔推力器通道内工质供气量来改变原子密度实现的。

7.根据权利要求6所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于霍尔推力器通道内工质供气量飞调节范围为2～4mg/s，获得原子密度的变化范围为3x10¹⁹～6x10¹⁹m^-3。

8.根据权利要求1或2所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于在步骤二中，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内的方法是：通过调节霍尔推力器通道截面来改变原子密度和电子密度实现的。

9.根据权利要求8所述的一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，其特征在于霍尔推力器通道截面的调节范围为0～50%。