[发明专利]刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010118122.2 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148151A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赵金强;周国平;薛锋;王惠芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法，其中氮化硅的刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层，所述刻蚀工艺采用的腔室去除聚焦环，且所述腔室的覆盖环表面无锁孔。本发明能够避免在刻蚀工艺形成的聚合物掉落在刻蚀衬底上，还能够减低刻蚀腔室内的部件清洗次数；且刻蚀工艺选用刻蚀腔室的覆盖环表面无锁孔，避免等离子体透过锁孔造成电流导通，造成静电卡盘被等离子体打坏，从而影响工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀设备，其特征在于，包括：位于刻蚀腔体内的用于放置硅片的静电卡盘，所述静电卡盘具有肩部的台阶状圆台；设于静电卡盘上的覆盖环，所述覆盖环的内缘设置有承载部，所述承载部具有承载面，在所述覆盖环设于静电卡盘上时与静电卡盘的圆台面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
