[发明专利]刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：

位于刻蚀腔体内的用于放置硅片的静电卡盘，所述静电卡盘具有肩部的台阶状圆台；

设于静电卡盘上的覆盖环，所述覆盖环的内缘设置有承载部，所述承载部具有承载面，在所述覆盖环设于静电卡盘上时与静电卡盘的圆台面齐平。

2.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述承载部的尺寸与所述硅片匹配。

3.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述覆盖环表面无锁孔。

4.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述覆盖环材料选自石英。

5.一种氮化硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层；

在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩膜，采用如权利要求1至5中任一项所述的刻蚀设备刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层。

6.如权利要求5所述的氮化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺的具体参数为：刻蚀腔室内的磁场为0高斯至50高斯，刻蚀腔室压力为10毫托至200毫托，刻蚀气体包括：CF₄、CHF₃和CH₃F，其中CF₄流量为0sccm至100sccm，CHF₃流量为0sccm至100sccm，CH₃F流量为0sccm至100sccm，辅助气体包括Ar和O₂，其中Ar流量为0sccm至200sccm，O₂流量为0sccm至150sccm，刻蚀能量为50瓦至800瓦。

7.如权利要求5所述的氮化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述氮化硅的形成工艺为化学气相沉积工艺。

8.如权利要求5所述的氮化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶的形成步骤包括：在所述氮化硅层表面形成一层光刻胶层；接着通过曝光将掩膜版上的与刻蚀氮化硅层对应的图形转移到光刻胶层上，然后利用显影液将相应部位的光刻胶层去除，以形成光刻胶图形。

9.如权利要求8所述的氮化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述形成光刻胶的工艺可以为旋涂工艺。