[发明专利]一种在硅片表面形成氧化层的方法有效
| 申请号： | 201010116252.2 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101799381A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张峰;张斌;陈浩 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 形成 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种处理硅片表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，以去除待测硅片表面疏松的自然氧化层，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的氢氟酸溶液；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒，以在待测硅片表面形成一层致密的氧化层；(d)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的双氧水溶液；(e)采用氮气吹干待测硅片。
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