[发明专利]一种在硅片表面形成氧化层的方法有效
| 申请号： | 201010116252.2 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101799381A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张峰;张斌;陈浩 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 形成 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种处理硅片表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，以去除待测 硅片表面疏松的自然氧化层，清洗时间为20至40秒；
(b)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的氢氟酸溶液；
(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待 测硅片，清洗时间为60至100秒，以在待测硅片表面形成一层致密的氧化 层；
(d)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的双氧水溶液；
(e)采用氮气吹干待测硅片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(b)中，采用去离子 水冲洗待测硅片的时间为1至3分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(d)中，采用去离子 水冲洗待测硅片的时间为1至3分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(e)中，氮气吹干的 时间为40秒至2分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)中，采用水浴加 热的方法将双氧水加热至所需的温度。
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