[发明专利]离子敏感场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010111169.6 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101964360A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;果尚志 | 申请（专利权）人： | 国立清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;G01N27/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种离子敏感场效晶体管，其具有：一氮化镓/蓝宝石层，用以充当一基板；一a-InN:Mg外延层，沉积于该氮化镓/蓝宝石层上以提供一电流路径；一第一金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，覆盖于该第一金属接点、该第二金属接点及该a-InN:Mg外延层上，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该a-InN:Mg外延层的曝露区域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种离子敏感场效晶体管，其具有：一基板；一掺杂镁的氮化铟外延层，沉积于该基板上以提供一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，用以覆盖该第一导电接点、该第二导电接点及该InN:Mg外延层，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该InN:Mg外延层的曝露区域。
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