[发明专利]离子敏感场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010111169.6 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101964360A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;果尚志 | 申请（专利权）人： | 国立清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;G01N27/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种离子敏感场效晶体管，其具有：
一基板；
一掺杂镁的氮化铟外延层，沉积于该基板上以提供一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；
一第二导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及
一图案化绝缘层，用以覆盖该第一导电接点、该第二导电接点及该InN:Mg外延层，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该InN:Mg外延层的曝露区域。
2.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该基板为一氮化镓/蓝宝石层。
3.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该导电接点具有一金属。
4.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该InN:Mg外延层为一a-InN:Mg外延层。
5.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该接触窗口用以接触一电解液。
6.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该第一导电接点用以耦接一第一电压及该第二导电接点用以耦接一第二电压以提供一通道电流。
7.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该第一导电接点及该第二导电接点具有一Au/Al/Ti结构。
8.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该图案化绝缘层具有聚亚酰胺。
9.如权利要求1所述的离子敏感场效晶体管，其中，该离子敏感场效晶体管用以感测一电解液的pH值。
10.一种离子敏感场效晶体管制造方法，包含以下步骤：
形成一基板；
在该基板上沉积一InN:Mg外延层；
在该InN:Mg外延层上沉积一第一导电接点及一第二导电接点以分别提供一漏极接点及一源极接点；以及
形成一图案化绝缘层以覆盖该第一导电接点、该第二导电接点及该InN:Mg外延层，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该InN:Mg外延层的曝露区域。
11.如权利要求10所述的离子敏感场效晶体管制造方法，其中，该InN:Mg外延层的沉积方式是由一等离子体辅助式分子束外延系统实现。
12.如权利要求10所述的离子敏感场效晶体管制造方法，其中，该基板的形成是以形成一氮化镓/蓝宝石层实现。
13.如权利要求10所述的离子敏感场效晶体管制造方法，其中，该导电接点的沉积是金属的沉积。
14.如权利要求10所述的离子敏感场效晶体管制造方法，其中，该InN:Mg外延层的沉积为一a-InN:Mg外延层的沉积。
15.如权利要求10所述的离子敏感场效晶体管制造方法，其中，包括以聚二甲基硅氧烷封装该离子敏感场效晶体管的步骤。
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