[发明专利]本征MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010111103.7 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148245A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种本征MOS晶体管及其形成方法，所述本征MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅电极，所述栅电极一侧的半导体衬底为源区，另一侧的半导体衬底为漏区；对所述源区和漏区进行第一离子注入，在所述半导体衬底内直接形成源极和漏极；对所述栅电极进行第二离子注入，所述第二离子注入的离子类型与所述第一离子注入的离子类型相反。本发明提高了本征MOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种本征MOS晶体管，包括：半导体衬底；栅介质层，形成于所述半导体衬底上；栅电极，形成于所述栅介质层上；源极和漏极，分别直接形成于所述栅电极两侧的半导体衬底内；其特征在于，所述栅电极的掺杂类型与源极和漏极的掺杂类型相反。
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