[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010111011.9 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101794815A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英;今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；第一缓冲层，形成在所述衬底上方；第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于所述第一缓冲层；第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于所述第二缓冲层；沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；以及电子供应层，形成在所述沟道层上方。
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