[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010111011.9 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101794815A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英;今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
第一缓冲层，形成在所述衬底上方；
第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于 所述第一缓冲层；
第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于 所述第二缓冲层；
沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；
电子供应层，形成在所述沟道层上方；以及
栅电极、源电极和漏电极，形成在该电子供应层上方，其中
所述第二缓冲层具有由Alx1Ga1-x1N表示的成分，其中0.1≦x1≦0.5；
所述第三缓冲层具有由Alx2Ga1-x2N表示的成分，其中0.3≦x2≦1；以及
x1的值小于x2的值。
2.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
第一缓冲层，形成在所述衬底上方；
第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于 所述第一缓冲层；
第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于 所述第二缓冲层；
沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；
电子供应层，形成在所述沟道层上方；以及
栅电极、源电极和漏电极，形成在该电子供应层上方，其中
所述第二缓冲层具有由Iny1Al1-y1N表示的成分，其中0.1≦y1≦0.25；
所述第三缓冲层具有由Iny2Al1-y2N表示的成分，其中0.1≦y2≦0.25；以 及
y1的值大于y2的值。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中
所述第二缓冲层的晶格常数大于氮化镓的晶格常数；以及
所述第三缓冲层的晶格常数小于氮化镓的晶格常数。
4.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
第一缓冲层，形成在所述衬底上方；
第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于 所述第一缓冲层；
第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于 所述第二缓冲层；
沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；
电子供应层，形成在所述沟道层上方；以及
栅电极、源电极和漏电极，形成在该电子供应层上方，其中
所述第二缓冲层具有由Iny1Al1-y1N表示的成分，其中0.1≦y1≦0.25；以 及
所述第三缓冲层具有由Alx2Ga1-x2N表示的成分，其中0.3≦x2≦1。
5.根据权利要求1至4的任意一个所述的化合物半导体器件，其中所 述第一缓冲层的电子亲和力小于所述第三缓冲层的电子亲和力。
6.根据权利要求1至4的任意一个所述的化合物半导体器件，其中所 述第一缓冲层由氮化物半导体形成。
7.根据权利要求1至4的任意一个所述的化合物半导体器件，其中所 述第一缓冲层至少包含铝。
8.根据权利要求1至4的任意一个所述的化合物半导体器件，其中所 述第一缓冲层具有由AlN表示的成分。
9.根据权利要求1至4的任意一个所述的化合物半导体器件，还包括 第四缓冲层，布置在所述第三缓冲层与所述沟道层之间，并且在电子亲和力 方面大于所述第三缓冲层。
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