[发明专利]形成微电子结构的方法有效

专利信息
申请号: 201010110135.5 申请日: 2005-04-15
公开(公告)号: CN101916051A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: D·J·格雷罗;R·C·考克斯;M·W·维默 申请(专利权)人: 布鲁尔科技公司
主分类号: G03F7/32 分类号: G03F7/32;G03F7/09;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种形成微电子结构的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有表面的基材;将组合物施涂在所述表面上,所述组合物包含:选自聚合物、低聚物或其混合物的化合物,所述化合物包含非酚基的酸基;乙烯基醚交联剂和溶剂体系,所述化合物和交联剂溶解或分散在所述溶剂体系中,使所述组合物中的化合物交联,形成一层基本不溶于光刻胶溶剂中的组合物层,并且形成包含具有以下结构式的连接基团的交联化合物;在所述组合物上形成光刻胶层;使所述组合物曝光,形成所述组合物的曝光部分;使所述组合物与显影剂接触,以从所述表面除去所述曝光的部分。
搜索关键词: 形成 微电子 结构 方法
【主权项】:
1.一种形成微电子结构的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有表面的基材;将组合物施涂在所述表面上,所述组合物包含:选自聚合物、低聚物或其混合物的化合物,所述化合物包含非酚基的酸基;乙烯基醚交联剂;和溶剂体系,所述化合物和交联剂溶解或分散在所述溶剂体系中,使所述组合物中的化合物交联,形成一层基本不溶于光刻胶溶剂中的组合物层,并且形成包含具有以下结构式的连接基团的交联化合物在所述组合物上形成光刻胶层;使所述组合物曝光,形成所述组合物的曝光部分;使所述组合物与显影剂接触,以从所述表面除去所述曝光的部分。
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