[发明专利]形成微电子结构的方法有效
| 申请号: | 201010110135.5 | 申请日: | 2005-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN101916051A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
| 发明(设计)人: | D·J·格雷罗;R·C·考克斯;M·W·维默 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号: | G03F7/32 | 分类号: | G03F7/32;G03F7/09;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 微电子 结构 方法 | ||
1.一种形成微电子结构的方法,所述方法包括以下步骤:
提供具有表面的基材;
将组合物施涂在所述表面上,所述组合物包含:
选自聚合物、低聚物或其混合物的化合物,所述化合物包含非酚基的酸基;
乙烯基醚交联剂;和
溶剂体系,所述化合物和交联剂溶解或分散在所述溶剂体系中,
使所述组合物中的化合物交联,形成一层基本不溶于光刻胶溶剂中的组合物层,并且形成包含具有以下结构式的连接基团的交联化合物
在所述组合物上形成光刻胶层;
使所述组合物曝光,形成所述组合物的曝光部分;
使所述组合物与显影剂接触,以从所述表面除去所述曝光的部分。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述交联步骤包括使所述化合物热交联。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述曝光步骤制得可显著溶解在光刻胶显影剂中的组合物层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述曝光步骤使得以下所示结构式的连接基团中的键(*)断裂
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基材是微电子基材。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述基材选自硅、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、亚硝酸钽、SiGe、离子注入层、低k介电层或介电层。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述基材还包括限定孔的结构,所述结构包括侧壁和底壁;
所述施涂步骤包括将所述组合物施涂在所述孔的侧壁和底壁的至少一部分上。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基材包括离子注入层,所述施涂步骤包括形成与所述离子注入层相邻的所述组合物层。
9.一种形成微电子结构的方法,所述方法包括以下步骤:
提供具有表面的基材;
将组合物施涂在所述表面上,所述组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的化合物,所述化合物选自聚合物、低聚物或它们的混合物,所述化合物包含羧酸基团;
使所述组合物中的化合物交联,形成一层基本不溶于光刻胶溶剂中的组合物层,并且形成包含具有以下结构式的连接基团的交联化合物:
在所述组合物上形成光刻胶层;
使所述组合物曝光,以使得交联的化合物解交联。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述交联步骤包括使所述化合物热交联。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述曝光步骤制得可显著溶解在光刻胶显影剂中的组合物层。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述曝光步骤使得以下结构式所示连接基团中的键(*)断裂
13.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述基材是微电子基材。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述基材选自硅、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、亚硝酸钽、SiGe、离子注入层、低k介电层或介电层。
15.如权利要求9所述的方法,其特征在于:
所述基材还包括限定孔的结构,所述结构包括侧壁和底壁;
所述施涂步骤包括将所述组合物施涂到所述孔的侧壁和底壁的至少一部分上。
16.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述基材包括离子注入层,所述施涂步骤包括形成与所述离子注入层相邻的所述组合物层。
17.如权利要求9所述的方法,其特征在于,以所述组合物中所有组分的总重量为100重量%计,所述组合物中所述化合物的含量约为0.5-10重量%。
18.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述化合物是非酸敏感的。
19.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述羧酸基团不带保护基。
20.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述组合物还包括发色团,所述发色团与所述化合物不相连。
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