[发明专利]铟镧钛氧化物透明导电薄膜无效

专利信息
申请号: 201010106868.1 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101752027A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 刘星元;刘晓新;王宁 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/08
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 赵炳仁
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种可应用于液晶显示屏、电致发光器件、太阳能电池、有机和无机半导体激光器等光电子器件的铟镧钛氧化物透明导电薄膜,它是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物,其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1,La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。该透明导电薄膜具有化学稳定性好、导电性能优良、可见光透过率高以及功函数高的优点,有效地提高光电子器件的亮度或光电转换效率等性能。
搜索关键词: 铟镧钛 氧化物 透明 导电 薄膜
【主权项】:
一种铟镧钛氧化物透明导电薄膜,其特征在于是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物,其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1,La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。
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